第194章 高压碳化硅（SIC）研发成功(1/2)

首发：~第194章 高压碳化硅（SIC）研发成功

四月底，郑州的仲春透着一股草木萌发的生机，但天芯半导体的研发大楼内，气氛却紧绷得如同即将拉满的弓弦。

距离二月底碳化硅（SiC）芯片设计跑通并送去代工厂，已经过去了一个多月的时间。

这一个多月里，天芯半导体整个功率器件团队几乎吃住在实验室，所有人都在盯着国内代工厂送回的每一组数据反馈。

这是决定无界S7能否顺利切换核心驱动的关键。

直到四月底的今天上午，加急空运回郑州的测试样片正式完成了最后一轮车规级可靠性验证。

当主控电脑屏幕上刷出清一色的绿色“PASS”字样时，整个测试间先是死一般的寂静，随后爆发出了掀翻屋顶的欢呼声。

自研高压碳化硅（SiC）功率芯片，正式流片成功！

随着天芯又一次流片成功的消息在半导体行业内长了翅膀一样传开，现在的天芯半导体，在整个国内芯片圈子里，已经变成了神话传说一般的存在。

从天宇集团涉足芯片行业开始，天芯半导体一共经历了多次高难度的核心流片。

在这个研发芯片动辄就是几个亿砸进去打水漂、行业平均流片成功率不足50%的残酷行业里，天芯半导体竟然做到了“次次流片，次次成功”的恐怖记录。

这种不可思议的概率，让外界看天芯的眼神就像在看一个开了作弊器的怪物。

“吴总，外面又有几家半导体公司的董事长坐飞机赶到郑州了，现在正在大厅等您，说无论如何都要请您吃顿饭。”秘书拿着日程表，神色古怪地走进吴汉明的办公室。

这已经是本周不知道第几批登门拜访的行业大佬了。

由于天芯的记录太逆天，国内不少半导体老牌企业的董事长、总经理之流的人物，近期纷纷亲自跑到郑州，明面上是来参观考察，暗地里全都是来找吴汉明“请教流片秘诀”的。

听到秘书的话，吴汉明揉了揉太阳穴，整个人坐在椅子上呈现出无奈的状态。

“请教秘诀？我能有什么秘诀？”吴汉明苦笑了一声，有些无奈地抓了抓自己有些凌乱的头发，“这玩意儿不全是运气好吗？告诉他们，我今天没时间。”

吴汉明是真觉得莫名其妙。外界把天芯传得像是有什么神仙点化，可只有他自己和天宇的核心团队清楚，每一次流片数据送出去的时候，他自己也是紧张得整宿整宿睡不着觉，生怕哪一个微米级的物理版图画错，几千万的流片费和几个月的时间就浪费了。

能做到次次成功，除了整个团队联合三电部门日夜死磕出来的严密逻辑，剩下的，吴汉明只能归结于天宇集团头顶上那仿佛被老天爷眷顾的强盛运气。

不过，吴汉明没心思去跟外面的同行扯皮，他现在所有的注意力，全在办公桌上这枚刚刚通过验证的碳化硅芯片上。

按照如今的半导体技术背景，车规级功率半导体的制程工艺并不像手机CPU那样疯狂追求7纳米或者10纳米的极限微缩。

这枚支持400V高压平台的碳化硅MOSFET芯片，采用的是成熟且务实的0.35微米（350纳米）高压特殊制程工艺。

对于汽车功率器件来说，耐高压、耐大电流以及极端的稳定性，远比集成度更重要。