第833章 氮化硅和电子陷阱(1/3)

首发：~第833章 氮化硅和电子陷阱

有关系！

绝对有关系！

陆远江也是眉头紧锁，在想氮化硅在闪存上有啥用。

过往的经验告诉他，陈总绝对不会无的放矢，不会随便说一种元素的，这个氮化硅绝对有用。

就是一时间想不出来要应用在哪里，毕竟整个半导体工艺的工序太多了。

陈星在旁边也没敢打扰这二位，主要是他在这方面知道的实在不多……

突然，陆远江转过头和林先动对视了一眼，都从对方眼神中看到一种不可思议。

再看陈总现在，一脸的老婶在定，仿佛早知道自己能猜出来一样。

哎，陈总不愧是陈总啊。

一个元素就能指明绕过IBM和美光专利的路线。

“电子陷阱！”

“氮化硅能捕获电子！”

陆远江和林先动猛地一喊，把陈星吓了一跳，嗯？

这就有想法了？

“陈总，你的意思是说，IBM用的是导电浮栅来控制电子的移动，这也是他们的核心专利范围，所以我们利用氮化硅能捕获电子的特性，人为制造电子陷阱来控制，这样就完全绕开了他们的专利。”

“只需要在基础MOSFET、通用光刻、通用隧穿物理等行业通用基础专利进行小额授权就够了！”

“陈总，我服，我老陆服了。”

陆远江一边摇着头，一边看陈星那一脸淡定的样子，心里的佩服简直到了无可复加的地步。

林先动也是补充道：“常规工艺是电子在导体浮栅自由移动，单元间存在电容耦合干扰，美光拥有耦合抑制、浮栅电荷均衡全套方法专利，如果我们使用氮化硅，电子被绝缘介质离散陷阱锁住，无导体耦合，串扰天然更低，不需要浮栅专属补偿算法，就能规避大量工艺方法专利。”

“说不定我们能搞定这套工艺，未来还能卡住他们的脖子。”