第197章 涌向CK的暗流(2/5)

首发：~第197章 涌向CK的暗流

模拟结果显示，这会导致整体良品率下降约5%。

光学系统：

核心是得国蔡斯（ZEISS）的EUV反射镜，其表面粗糙度控制在惊人的0.1nm以内。

如果启用备用方案，即霓虹尼糠（Nikan）和佳（Conon）的组合，他们的镀膜工艺目前难以达到同等水平，可能会引入更高的缺陷密度。

估算下来，反射镜缺陷率若从蔡斯的0.001个/平方厘米上升到0.03个/平方厘米，良品率将下降10%。

对准系统：目前我们采用的是来自种花的橙科（CK）的对准子系统。

它的静态精度达到了0.000018°/h，动态群体校正算法能有效补偿振动，定位误差控制在亚纳米级。

如果换回我们之前使用的得国蔡斯方案，其动态误差控制略逊，可能导致套刻误差增加，良品率预计下降5%。”

提到“种花的CK”时，闫涛南的语气微微一顿，一丝极其复杂的情绪在他眼中一闪而过。

那是一种夹杂着对同胞技术崛起的微妙自豪感，与对两岸未知竞争格局潜藏的不安。

温尼克认真地听着，手指无意识地轻敲着桌面。

“我明白了！我们阿斯唛能成为全球光刻机的领导者，正是因为我们汇聚并整合了全球最顶尖的技术。

自己搞全产业链的霓虹和北美对手，反而被我们甩在了身后。”

温尼克脸上重新露出笑容，用力拍了拍闫涛南的肩膀。

“闫，你的工作无比出色，董事会已经批准，正式任命你为阿斯唛全球副总裁，全面负责EUV后续的迭代和商业化量产！这是你应得的！”

“非常感谢您的信任，温尼克先生！”闫涛南激动地与总裁握手。

离开EUV实验室的喧嚣，温尼克又来到了隔壁的DUV光刻机研发中心。

这里的气氛相对沉稳，技术更加成熟。

他找到了负责DUV的副总裁兼首席技术官马丁。

“马丁，我们新一代的NXE:3300BDUV光刻机（用于7nm及以上制程），换装了新的子系统后，效果如何？”

马丁脸上洋溢着自信的笑容。

“非常好，温尼克！

原本我们的新一代DUV光刻机的良品率基准在50%。

换装北美Cymer的新光源后，提升了10%。

采用得国蔡斯最新的光学系统，又提升了10%。